一分彩网址

在现代集成电路制造中，离子植入是一项非常重要的技术，其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子∑束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，停留在●材料中，并引起材＠料表面成分、结构和性〓能发生变化，从而ξ　优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。

由于在离子源转换为电浆离子时，会产生2000℃以上的工作温度，离子束》喷发时，也会产生很大的离子动能，一般金属会很快烧熔，因此需要质量密度较大的惰性金ζ属，以维持离子束▽喷发方向，并增加组件耐用度，钨钼是必选材料。由于钨钼材料高温化学性质稳定、热变形小和使用寿命长等优点，因此半导体行业离子注入机离子源件及耗件多采用钨、钼材料制造，这些器件包括发射电子阴极的屏蔽筒、弧光室，灯丝夹等。

与传统钨钼材料相比，离子植入用钨钼材料密度更高，晶粒更细，耐高温及抗蠕变性能更强。